| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Driven Configuration | Half-Bridge |
| Channel Type | Independent |
| Number of Drivers | 2 |
| Gate Type | Enhanced Mode GaN FET |
| Voltage - Supply | 4.5V ~ 5.5V |
| Logic Voltage - VIL, VIH | 0.5V, 2.3V |
| Current - Peak Output (Source, Sink) | 7.1A, 12.5A |
| Input Type | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 85 V |
| Rise / Fall Time (Typ) | 8ns, 4ns |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 12-UFBGA, WLCSP |
| Supplier Device Package | 12-WLCSP-B (1.6x1.6) |
UP1966E 是由 意法半導體 制造的 柵極驅動器 類電子元器件。IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12WLCSP。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、DigiKey Programmable: Not Verified、Driven Configuration: Half-Bridge、Channel Type: Independent、Number of Drivers: 2、Gate Type: Enhanced Mode GaN FET。
UP1966E 共有 16 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Voltage - Supply（4.5V ~ 5.5V）、Logic Voltage - VIL, VIH（0.5V, 2.3V）、Current - Peak Output (Source, Sink)（7.1A, 12.5A）、Input Type（Non-Inverting）、High Side Voltage - Max (Bootstrap)（85 V） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 意法半導體：意法半導體（EPC）作為氮化鎵（GaN）功率管理器件領域的創新領導者，始終致力于推動電子元器件技術的革新。EPC率先推出了業界首款增強型氮化鎵硅基（eGaN?）場效應晶體管，成功地將GaN技術應用于高性能功率 MOSFET 的替代方案。相較于傳統的硅基功率 MOSFET，EPC 的 eGaN? 器件在性能上實現了數倍的飛躍，為眾多尖端應用領域提供了卓越的解決方案。
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