| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Driven Configuration | Half-Bridge, Low-Side |
| Channel Type | Single |
| Number of Drivers | 1 |
| Gate Type | N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Voltage - Supply | 8V ~ 20V |
| Logic Voltage - VIL, VIH | 1.2V, 1.9V |
| Current - Peak Output (Source, Sink) | 4A, 8A |
| Input Type | Inverting, Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Rise / Fall Time (Typ) | 6.5ns, 4.5ns |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-23-6 |
| Supplier Device Package | PG-SOT23-6-2 |
1EDN8511BXUSA1 是由 英飛凌科技 制造的 柵極驅動器 類電子元器件。IC GATE DRV HALF BRD/LOW SOT23-6。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、DigiKey Programmable: Not Verified、Driven Configuration: Half-Bridge, Low-Side、Channel Type: Single、Number of Drivers: 1、Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET。
1EDN8511BXUSA1 共有 15 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Voltage - Supply（8V ~ 20V）、Logic Voltage - VIL, VIH（1.2V, 1.9V）、Current - Peak Output (Source, Sink)（4A, 8A）、Input Type（Inverting, Non-Inverting）、Rise / Fall Time (Typ)（6.5ns, 4.5ns） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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