IS25WE512M-RMLE-TY是尼爾森旗下的記憶 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供IS25WE512M-RMLE-TY現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供IS25WE512M-RMLE-TY datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
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| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Memory Format | FLASH |
| Technology | FLASH - NOR |
| Memory Size | 512Mbit |
| Memory Organization | 64M x 8 |
| Memory Interface | SPI - Quad I/O, QPI, DTR |
| Clock Frequency | 112 MHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | 50μs, 1ms |
| Access Time | - |
| Voltage - Supply | 1.7V ~ 1.95V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Supplier Device Package | 16-SOIC |
IS25WE512M-RMLE-TY 是由 尼爾森 制造的 記憶 類電子元器件。IC FLASH 512MB 1.8V SPI 16SOIC。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Non-Volatile、Memory Format: FLASH、Technology: FLASH - NOR、Memory Size: 512Mbit。
IS25WE512M-RMLE-TY 共有 15 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Memory Organization（64M x 8）、Memory Interface（SPI - Quad I/O, QPI, DTR）、Clock Frequency（112 MHz）、Write Cycle Time - Word, Page（50μs, 1ms）、Voltage - Supply（1.7V ~ 1.95V） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。
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