GS8182T18BGD-300I是GSI科技旗下的記憶 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供GS8182T18BGD-300I現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供GS8182T18BGD-300I datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
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| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Volatile |
| Memory Format | SRAM |
| Technology | SRAM - Synchronous, DDR II |
| Memory Size | 18Mbit |
| Memory Organization | 1M x 18 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | 300 MHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | - |
| Access Time | - |
| Voltage - Supply | 1.7V ~ 1.9V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 165-LBGA |
| Supplier Device Package | 165-FPBGA (15x13) |
GS8182T18BGD-300I 是由 GSI科技 制造的 記憶 類電子元器件。IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FPBGA。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Volatile、Memory Format: SRAM、Technology: SRAM - Synchronous, DDR II、Memory Size: 18Mbit。
GS8182T18BGD-300I 共有 14 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Memory Organization（1M x 18）、Memory Interface（Parallel）、Clock Frequency（300 MHz）、Voltage - Supply（1.7V ~ 1.9V）、Operating Temperature（-40°C ~ 85°C (TA)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。
關于 GSI科技：GSI科技（GSI Technology, Inc.）自1995年成立以來，一直致力于成為高性能半導體存儲器解決方案的行業領導者。憑借近三十載的深厚技術積淀與對創新不懈的追求，GSI科技已發展成為全球電子元器件領域不可或缺的重要力量。公司深耕于高性能存儲器這一細分市場，憑借其在**電子元件**領域的專業知識，為全球客戶提供卓越的產品和服務。
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