EMD4E001G16G2-150CAS2R是艾斯普恩科技旗下的記憶 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供EMD4E001G16G2-150CAS2R現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供EMD4E001G16G2-150CAS2R datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
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| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | - |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Memory Format | RAM |
| Technology | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
| Memory Size | 1Gbit |
| Memory Organization | 128M x 8 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | 667 MHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | 15ns |
| Access Time | 18 ns |
| Voltage - Supply | 1.14V ~ 1.26V |
| Operating Temperature | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 96-TFBGA |
| Supplier Device Package | 96-BGA (10x13) |
EMD4E001G16G2-150CAS2R 是由 艾斯普恩科技 制造的 記憶 類電子元器件。LINEAR IC'S。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Memory Type: Non-Volatile、Memory Format: RAM、Technology: MRAM (Magnetoresistive RAM)、Memory Size: 1Gbit、Memory Organization: 128M x 8。
EMD4E001G16G2-150CAS2R 共有 15 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Memory Interface（Parallel）、Clock Frequency（667 MHz）、Write Cycle Time - Word, Page（15ns）、Access Time（18 ns）、Voltage - Supply（1.14V ~ 1.26V） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 艾斯普恩科技：艾斯普恩科技（Everspin Technologies, Inc.），總部位于亞利桑那州錢德勒，是全球領先的磁阻式隨機存取存儲器（MRAM）和自旋電子傳輸MRAM（ST-MRAM）分離式及嵌入式產品的設計、制造和商業化出貨商。作為一家專注于前沿**電子元器件**和**IC芯片**研發的企業，艾斯普恩科技致力于為數據持久性與完整性、低延遲以及安全性至關重要的市場和應用提供創新的存儲解決方案。公司憑借其卓越的**元器件**技術，在全球范圍內享有盛譽，尤其在高性能存儲領域扮演著關鍵角色。
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