MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1是富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案旗下的記憶 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1現(xiàn)貨庫存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1 datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Memory Format | FRAM |
| Technology | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| Memory Size | 16Kbit |
| Memory Organization | 2K x 8 |
| Memory Interface | I2C |
| Clock Frequency | 1 MHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | - |
| Access Time | 550 ns |
| Voltage - Supply | 3V ~ 5.5V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1 是由 富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案 制造的 記憶 類電子元器件。IC FRAM 16KBIT I2C 1MHZ 8SOP。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Non-Volatile、Memory Format: FRAM、Technology: FRAM (Ferroelectric RAM)、Memory Size: 16Kbit。
MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1 共有 15 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Memory Organization（2K x 8）、Memory Interface（I2C）、Clock Frequency（1 MHz）、Access Time（550 ns）、Voltage - Supply（3V ~ 5.5V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
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