H5AN4G6NBJR-XNC是耐思特旗下的記憶 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供H5AN4G6NBJR-XNC現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供H5AN4G6NBJR-XNC datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
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| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | - |
| Memory Type | Volatile |
| Memory Format | DRAM |
| Technology | SDRAM - DDR4 |
| Memory Size | 4Gbit |
| Memory Organization | 256M x 16 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | 1.6 GHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | - |
| Access Time | 18 ns |
| Voltage - Supply | 1.14V ~ 1.26V |
| Operating Temperature | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 96-TFBGA |
| Supplier Device Package | 96-FBGA (7.5x13) |
H5AN4G6NBJR-XNC 是由 耐思特 制造的 記憶 類電子元器件。4Gb x16 3200 DDR4 CT (0~95C)。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Memory Type: Volatile、Memory Format: DRAM、Technology: SDRAM - DDR4、Memory Size: 4Gbit、Memory Organization: 256M x 16。
H5AN4G6NBJR-XNC 共有 14 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Memory Interface（Parallel）、Clock Frequency（1.6 GHz）、Access Time（18 ns）、Voltage - Supply（1.14V ~ 1.26V）、Operating Temperature（0°C ~ 95°C (TC)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。
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