MB85RE4M2TFN-G-ASE1是富士通半導體存儲器解決方案旗下的記憶 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供MB85RE4M2TFN-G-ASE1現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供MB85RE4M2TFN-G-ASE1 datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Memory Format | FRAM |
| Technology | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| Memory Size | 4Mbit |
| Memory Organization | 256K x 16 |
| Memory Interface | - |
| Clock Frequency | - |
| Write Cycle Time - Word, Page | 150ns |
| Access Time | - |
| Voltage - Supply | 1.8V ~ 3.6V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Supplier Device Package | 44-TSOP |
MB85RE4M2TFN-G-ASE1 是由 富士通半導體存儲器解決方案 制造的 記憶 類電子元器件。IC FRAM 4MBIT 44TSOP。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Non-Volatile、Memory Format: FRAM、Technology: FRAM (Ferroelectric RAM)、Memory Size: 4Mbit。
MB85RE4M2TFN-G-ASE1 共有 13 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Memory Organization（256K x 16）、Write Cycle Time - Word, Page（150ns）、Voltage - Supply（1.8V ~ 3.6V）、Operating Temperature（-40°C ~ 85°C (TA)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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