MB85R4M2TFN-G-ASE1是富士通半導體存儲器解決方案旗下的記憶 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供MB85R4M2TFN-G-ASE1現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供MB85R4M2TFN-G-ASE1 datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
如需獲取MB85R4M2TFN-G-ASE1的最新價格或技術支持，請聯系我們：0755-83216080 / SALES@LJQ.CC。
| Product Status | Obsolete |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Memory Format | FRAM |
| Technology | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| Memory Size | 4Mbit |
| Memory Organization | 256K x 16 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | - |
| Write Cycle Time - Word, Page | 150ns |
| Access Time | 150 ns |
| Voltage - Supply | 1.8V ~ 3.6V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Supplier Device Package | 44-TSOP |
MB85R4M2TFN-G-ASE1 是由 富士通半導體存儲器解決方案 制造的 記憶 類電子元器件。IC FRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Non-Volatile、Memory Format: FRAM、Technology: FRAM (Ferroelectric RAM)、Memory Size: 4Mbit。
MB85R4M2TFN-G-ASE1 共有 15 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Memory Organization（256K x 16）、Memory Interface（Parallel）、Write Cycle Time - Word, Page（150ns）、Access Time（150 ns）、Voltage - Supply（1.8V ~ 3.6V） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。
關于 富士通半導體存儲器解決方案：**富士通半導體存儲器解決方案：引領非易失性存儲技術的創新者**
MB85R4M2TFN-G-ASE1 現貨庫存充足，可通過深圳凌創輝電子有限公司立即采購。作為 富士通半導體存儲器解決方案 代理商和供應商，我們保證所有元器件均為100%原裝正品，來源可靠可追溯。我們提供MB85R4M2TFN-G-ASE1價格報價查詢、datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦服務，支持批量采購與在線詢價。立即申請報價，獲取 MB85R4M2TFN-G-ASE1 的最新價格和交期信息。
深圳凌創輝電子有限公司是富士通半導體存儲器解決方案代理商，專業供應MB85R4M2TFN-G-ASE1等記憶 產品。如您需要MB85R4M2TFN-G-ASE1的datasheet數據手冊、規格參數詳情或替代型號信息，歡迎聯系我們獲取技術支持。
我們提供MB85R4M2TFN-G-ASE1現貨庫存查詢與價格報價，支持批量采購與在線詢價，原裝正品保障，發貨速度快。聯系方式：0755-83216080 / SALES@LJQ.CC。
