| Product Status | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 40 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | - |
| Current Drain (Id) - Max | 50 mA |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 1.5 V @ 0.1 μA |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13pF @ 5V |
| Resistance - RDS(On) | - |
| Power - Max | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
JFE2140DR 是由 德州儀器 制造的 JFET 類電子元器件。JFET 2N-CH 40V 50MA 8SOIC。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、FET Type: 2 N-Channel (Dual)、Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V、Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V、Current Drain (Id) - Max: 50 mA、Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 0.1 μA。
JFE2140DR 共有 11 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（13pF @ 5V）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)）、Supplier Device Package（8-SOIC） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 德州儀器：德州儀器公司（Texas Instruments Incorporated，簡稱TI）是一家全球領先的半導體設計和制造企業，專注于開發模擬集成電路和嵌入式處理器。通過匯聚全球最杰出的人才，TI不斷創造出塑造科技未來的創新成果。TI正助力超過10萬名客戶在當下變革未來。
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