| Product Status | Obsolete |
| Voltage | - |
| Power Dissipation (Max) | 300 mW |
| Voltage - Output | 3V |
| Voltage - Offset (Vt) | - |
| Current - Gate to Anode Leakage (Igao) | - |
| Current - Valley (Iv) | 2 mA |
| Current - Peak | 2 μA |
| Package / Case | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
2N4851 是由 中央半導體 制造的 可編程單結 類電子元器件。THROUGH-HOLE UJT。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、Power Dissipation (Max): 300 mW、Voltage - Output: 3V、Current - Valley (Iv): 2 mA、Current - Peak: 2 μA、Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can。
關于 中央半導體：Central Semiconductor，中文名「中央半導體」，自1974年起，便致力于為全球電子產品制造創新型分立式半導體元器件。作為業界資深的電子元件制造商，中央半導體在數十年的發展歷程中，憑借其卓越的技術實力和對品質的不懈追求，贏得了廣泛的市場認可。其核心產品線涵蓋了種類繁多的電子元件，包括但不限于標準及定制化的小信號晶體管、雙極功率晶體管、MOSFETs、二極管、整流器、保護器件、限流二極管、橋式整流器、晶閘管，以及前沿的碳化硅（SiC）器件。這些高質量的IC芯片和分立半導體元件，是現代電子設備不可或缺的組成部分。
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