| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 35 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 20 mA @ 15 V |
| Current Drain (Id) - Max | - |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 3 V @ 1 μA |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Resistance - RDS(On) | 30 Ohms |
| Power - Max | 625 mW |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
J111-D26Z 是由 安森美 制造的 JFET 類電子元器件。JFET N-CH 35V TO92-3。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V、Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 15 V、Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 1 μA、Resistance - RDS(On): 30 Ohms。
J111-D26Z 共有 11 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Power - Max（625 mW）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Through Hole）、Package / Case（TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads）、Supplier Device Package（TO-92-3） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 安森美：安森美（onsemi）作為全球領先的能源高效創新驅動者，致力于賦能客戶實現全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術積淀和前瞻性的戰略布局，為全球設計工程師提供全面、領先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營產品線涵蓋了廣泛的**電子元件**類別，包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現代電子產品不可或缺的組成部分，安森美通過其豐富的產品組合，有效應對客戶在各種復雜設計挑戰中遇到的難題。
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