| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 7 mA @ 10 V |
| Current Drain (Id) - Max | - |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 800 mV @ 1 nA |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15pF @ 10V |
| Resistance - RDS(On) | 50 Ohms |
| Power - Max | 350 mW |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
IF170BST3 是由 英特菲特 制造的 JFET 類電子元器件。JFET N-Channel -30V Low Noise。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V、Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7 mA @ 10 V、Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 1 nA、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 10V。
IF170BST3 共有 12 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Resistance - RDS(On)（50 Ohms）、Power - Max（350 mW）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（SOT-23-3） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 英特菲特：**英特菲特 (InterFET)：高性能結型場效應晶體管 (JFET) 領域的領導者**
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