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| Product Status | Active |
| Type | Power Management |
| Function | Half H-Bridge Driver (External FET) |
| Embedded | - |
| Utilized IC / Part | EPC2065 |
| Primary Attributes | 64V, 25A Max Output GaNFET Capability |
| Supplied Contents | Board(s) |
EPC90137 是由 意法半導(dǎo)體 制造的 評(píng)估和演示板及套件 類電子元器件。BOARD DEV EPC2065 EGAN FET。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Type: Power Management、Function: Half H-Bridge Driver (External FET)、Utilized IC / Part: EPC2065、Primary Attributes: 64V, 25A Max Output GaNFET Capability、Supplied Contents: Board(s)。
關(guān)于 意法半導(dǎo)體：意法半導(dǎo)體（EPC）作為氮化鎵（GaN）功率管理器件領(lǐng)域的創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者，始終致力于推動(dòng)電子元器件技術(shù)的革新。EPC率先推出了業(yè)界首款增強(qiáng)型氮化鎵硅基（eGaN?）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，成功地將GaN技術(shù)應(yīng)用于高性能功率 MOSFET 的替代方案。相較于傳統(tǒng)的硅基功率 MOSFET，EPC 的 eGaN? 器件在性能上實(shí)現(xiàn)了數(shù)倍的飛躍，為眾多尖端應(yīng)用領(lǐng)域提供了卓越的解決方案。
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