02011J0R1ZBSTR是京瓷AVX旗下的薄膜電容器 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供02011J0R1ZBSTR現(xiàn)貨庫(kù)存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供02011J0R1ZBSTR datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購(gòu)與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Capacitance | 0.1 pF |
| Tolerance | ±0.01pF |
| Voltage - Rated | 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 0201 (0603 Metric) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 125°C |
| Features | RF, High Q, Low Loss |
| Size / Dimension | 0.024" L x 0.013" W (0.60mm x 0.33mm) |
| Height - Seated (Max) | 0.011" (0.28mm) |
02011J0R1ZBSTR 是由 京瓷AVX 制造的 薄膜電容器 類電子元器件。CAP THIN FILM 0.1PF 100V 0201。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Capacitance: 0.1 pF、Tolerance: ±0.01pF、Voltage - Rated: 100 V、Mounting Type: Surface Mount、Package / Case: 0201 (0603 Metric)。
02011J0R1ZBSTR 共有 10 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Operating Temperature（-55°C ~ 125°C）、Features（RF, High Q, Low Loss）、Size / Dimension（0.024" L x 0.013" W (0.60mm x 0.33mm)）、Height - Seated (Max)（0.011" (0.28mm)） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
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