P3D06006G2是PN結(jié)半導(dǎo)體旗下的單二極管 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供P3D06006G2現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供P3D06006G2 datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 21A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 30 μA @ 650 V |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Mounting Type | - |
| Package / Case | TO-263-2 |
| Supplier Device Package | TO-263-2 |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
P3D06006G2 是由 PN結(jié)半導(dǎo)體 制造的 單二極管 類電子元器件。DIODE SIL CARB 650V 21A TO263-2。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V、Current - Average Rectified (Io): 21A、Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)、Reverse Recovery Time (trr): 0 ns。
P3D06006G2 共有 10 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Current - Reverse Leakage @ Vr（30 μA @ 650 V）、Package / Case（TO-263-2）、Supplier Device Package（TO-263-2）、Operating Temperature - Junction（-55°C ~ 175°C） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 PN結(jié)半導(dǎo)體：PN Junction Semiconductor，中文名“PN結(jié)半導(dǎo)體”，是一家專注于高性能功率半導(dǎo)體器件設(shè)計與銷售的創(chuàng)新型企業(yè)，采用Fabless（無晶圓廠）模式，致力于為全球客戶提供領(lǐng)先的電子元器件解決方案。品牌自成立以來，便與全球頂級的晶圓代工廠X-FAB建立了深厚的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。X-FAB作為一家擁有超過30年歷史且完全通過汽車行業(yè)嚴苛認證的晶圓廠，為PN結(jié)半導(dǎo)體提供了卓越的硅碳化物（SiC）功率器件制造支持，確保了產(chǎn)品的高品質(zhì)與可靠性，使其在競爭激烈的元器件市場中脫穎而出。
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