| Product Status | Active |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 33A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 μA @ 650 V |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Mounting Type | - |
| Package / Case | TO-263-2 |
| Supplier Device Package | TO-263-2 |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
P3D12010G2 是由 PN結半導體 制造的 單二極管 類電子元器件。DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO263-2。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V、Current - Average Rectified (Io): 33A、Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)、Reverse Recovery Time (trr): 0 ns。
P3D12010G2 共有 10 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Current - Reverse Leakage @ Vr（50 μA @ 650 V）、Package / Case（TO-263-2）、Supplier Device Package（TO-263-2）、Operating Temperature - Junction（-55°C ~ 175°C） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 PN結半導體：PN Junction Semiconductor，中文名“PN結半導體”，是一家專注于高性能功率半導體器件設計與銷售的創新型企業，采用Fabless（無晶圓廠）模式，致力于為全球客戶提供領先的電子元器件解決方案。品牌自成立以來，便與全球頂級的晶圓代工廠X-FAB建立了深厚的戰略合作伙伴關系。X-FAB作為一家擁有超過30年歷史且完全通過汽車行業嚴苛認證的晶圓廠，為PN結半導體提供了卓越的硅碳化物（SiC）功率器件制造支持，確保了產品的高品質與可靠性，使其在競爭激烈的元器件市場中脫穎而出。
P3D12010G2 現貨庫存充足，可通過深圳凌創輝電子有限公司立即采購。作為 PN結半導體 代理商和供應商，我們保證所有元器件均為100%原裝正品，來源可靠可追溯。我們提供P3D12010G2價格報價查詢、datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦服務，支持批量采購與在線詢價。立即申請報價，獲取 P3D12010G2 的最新價格和交期信息。
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