| Product Status | Active |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 30A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 20 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 μA @ 1200 V |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
IV1D12020T3 是由 英威芯科技 制造的 二極管陣列 類電子元器件。SIC DIODE, 1200V 20A(10A/LEG), T。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode、Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V、Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC)、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A。
IV1D12020T3 共有 13 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Speed（No Recovery Time > 500mA (Io)）、Reverse Recovery Time (trr)（0 ns）、Current - Reverse Leakage @ Vr（100 μA @ 1200 V）、Operating Temperature - Junction（-55°C ~ 175°C）、Mounting Type（Through Hole） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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