JANTXV1N6643US是賽美特旗下的單二極管 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供JANTXV1N6643US現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供JANTXV1N6643US datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
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| Product Status | Discontinued at Digi-Key |
| Technology | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 50 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 300mA |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2 V @ 100 mA |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 6 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 500 nA @ 50 V |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | Axial |
| Supplier Device Package | Axial |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
JANTXV1N6643US 是由 賽美特 制造的 單二極管 類電子元器件。DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL。該器件的核心參數包括：Product Status: Discontinued at Digi-Key、Technology: Standard、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V、Current - Average Rectified (Io): 300mA、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA、Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)。
JANTXV1N6643US 共有 12 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Reverse Recovery Time (trr)（6 ns）、Current - Reverse Leakage @ Vr（500 nA @ 50 V）、Mounting Type（Through Hole）、Package / Case（Axial）、Supplier Device Package（Axial） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。
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