| Product Status | Active |
| Sensing Distance | 0.039" (1mm) |
| Sensing Method | Reflective |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 mA |
| Current - DC Forward (If) (Max) | 50 mA |
| Output Type | Phototransistor |
| Response Time | 20μs, 20μs |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | 4-DIP (0.157", 4.00mm) |
QRE1113 是由 安森美 制造的 反射式 - 模擬輸出 類電子元器件。SENSOR REFL 1MM PHOTOTRANS THRU。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Sensing Distance: 0.039" (1mm)、Sensing Method: Reflective、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V、Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA、Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA。
QRE1113 共有 10 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Output Type（Phototransistor）、Response Time（20μs, 20μs）、Mounting Type（Through Hole）、Package / Case（4-DIP (0.157", 4.00mm)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 安森美：安森美（onsemi）作為全球領先的能源高效創新驅動者，致力于賦能客戶實現全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術積淀和前瞻性的戰略布局，為全球設計工程師提供全面、領先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營產品線涵蓋了廣泛的**電子元件**類別，包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現代電子產品不可或缺的組成部分，安森美通過其豐富的產品組合，有效應對客戶在各種復雜設計挑戰中遇到的難題。
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