首頁 > 單 IGBT > 力特 > IXYA20N120B4HV
| Product Status | Active |
| IGBT Type | PT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 76 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 130 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 20A |
| Power - Max | 375 W |
| Switching Energy | 3.9mJ (on), 1.6mJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 44 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 15ns/200ns |
| Test Condition | 960mV, 20A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 47 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package | TO-263HV |
IXYA20N120B4HV 是由 力特 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 1200V 20A GENX4 XPT TO263D2。該器件的核心參數包括:Product Status: Active、IGBT Type: PT、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 76 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 130 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A。
IXYA20N120B4HV 共有 17 項技術參數,涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Power - Max(375 W)、Switching Energy(3.9mJ (on), 1.6mJ (off))、Input Type(Standard)、Gate Charge(44 nC)、Td (on/off) @ 25°C(15ns/200ns) 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書,獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 力特:力特產品在利用電能的應用中是至關重要的組件,從消費電子產品到車輛和工業設施。他們提供業界最廣泛和最深入的電路保護產品組合,同時在電源控制和傳感領域不斷擴展。作為其加速有機增長和戰略收購的企業戰略的一部分,他們正在擴展到相鄰市場。這些市場包括功率半導體、重型開關、磁性、光學、機電和溫度傳感器;以及提供安全控制和分配電能的產品。
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