| Product Status | Not For New Designs |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 9 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 18 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 3A |
| Power - Max | 31 W |
| Switching Energy | 60μJ (on), 30μJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 13.7 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 15ns/35ns |
| Test Condition | 400V, 3A, 47Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30 ns |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
IKD06N65ET6ARMA1 是由 英飛凌科技 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IKD06N65ET6ARMA1。該器件的核心參數包括：Product Status: Not For New Designs、IGBT Type: Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 9 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 3A。
IKD06N65ET6ARMA1 共有 17 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Power - Max（31 W）、Switching Energy（60μJ (on), 30μJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（13.7 nC）、Td (on/off) @ 25°C（15ns/35ns） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 英飛凌科技：**英飛凌科技（Infineon Technologies）：驅動未來電子世界的核心力量**
IKD06N65ET6ARMA1 現貨庫存充足，可通過深圳凌創輝電子有限公司立即采購。作為 英飛凌科技 代理商和供應商，我們保證所有元器件均為100%原裝正品，來源可靠可追溯。我們提供IKD06N65ET6ARMA1價格報價查詢、datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦服務，支持批量采購與在線詢價。立即申請報價，獲取 IKD06N65ET6ARMA1 的最新價格和交期信息。
深圳凌創輝電子有限公司是英飛凌科技代理商，專業供應IKD06N65ET6ARMA1等單 IGBT 產品。如您需要IKD06N65ET6ARMA1的datasheet數據手冊、規格參數詳情或替代型號信息，歡迎聯系我們獲取技術支持。
我們提供IKD06N65ET6ARMA1現貨庫存查詢與價格報價，支持批量采購與在線詢價，原裝正品保障，發貨速度快。聯系方式：0755-83216080 / SALES@LJQ.CC。
