STGF10M65DF2是意法半導(dǎo)體旗下的單 IGBT 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供STGF10M65DF2現(xiàn)貨庫(kù)存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供STGF10M65DF2 datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購(gòu)與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 40 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 10A |
| Power - Max | 30 W |
| Switching Energy | 120μJ (on), 270μJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 28 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 19ns/91ns |
| Test Condition | 400V, 10A, 22Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 96 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Supplier Device Package | TO-220FP |
STGF10M65DF2 是由 意法半導(dǎo)體 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT TRENCH 650V 20A TO220FP。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、IGBT Type: Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 20 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A。
STGF10M65DF2 共有 17 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Power - Max（30 W）、Switching Energy（120μJ (on), 270μJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（28 nC）、Td (on/off) @ 25°C（19ns/91ns） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書(shū)，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 意法半導(dǎo)體：意法半導(dǎo)體是一家全球獨(dú)立的半導(dǎo)體公司，是開(kāi)發(fā)和提供微電子應(yīng)用領(lǐng)域半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者。公司結(jié)合了硅和系統(tǒng)方面的專業(yè)知識(shí)、制造實(shí)力、知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）組合以及戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，使其在系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）技術(shù)的前沿占據(jù)領(lǐng)先地位，其產(chǎn)品在推動(dòng)當(dāng)今的融合趨勢(shì)中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
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