| Product Status | Not For New Designs |
| IGBT Type | NPT, Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 75 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 25A |
| Power - Max | 190 W |
| Switching Energy | 4.2mJ |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 155 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 50ns/560ns |
| Test Condition | 600V, 25A, 22Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-1 |
IGW25T120FKSA1 是由 英飛凌科技 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 1200V 50A TO247-3。該器件的核心參數包括：Product Status: Not For New Designs、IGBT Type: NPT, Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 50 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A。
IGW25T120FKSA1 共有 16 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Power - Max（190 W）、Switching Energy（4.2mJ）、Input Type（Standard）、Gate Charge（155 nC）、Td (on/off) @ 25°C（50ns/560ns） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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