| Product Status | Active |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 39 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 160 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 40A |
| Power - Max | 81 W |
| Switching Energy | 760μJ (on), 720μJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 110 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 44ns/143ns |
| Test Condition | 400V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 92 ns |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-3PFM, SC-93-3 |
| Supplier Device Package | TO-3PFM |
RGW80TK65DGVC11 是由 羅姆半導體 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、IGBT Type: Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 39 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A。
RGW80TK65DGVC11 共有 17 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Power - Max（81 W）、Switching Energy（760μJ (on), 720μJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（110 nC）、Td (on/off) @ 25°C（44ns/143ns） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 羅姆半導體：羅姆公司成立于1958年，總部位于日本京都。羅姆設計和制造半導體、集成電路及其他電子元件，這些元件廣泛應用于不斷發展壯大的無線通信、計算機、汽車和消費電子市場。一些最具創新性的設備和裝置都采用了羅姆的產品。
RGW80TK65DGVC11 現貨庫存充足，可通過深圳凌創輝電子有限公司立即采購。作為 羅姆半導體 代理商和供應商，我們保證所有元器件均為100%原裝正品，來源可靠可追溯。我們提供RGW80TK65DGVC11價格報價查詢、datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦服務，支持批量采購與在線詢價。立即申請報價，獲取 RGW80TK65DGVC11 的最新價格和交期信息。
深圳凌創輝電子有限公司是羅姆半導體代理商，專業供應RGW80TK65DGVC11等單 IGBT 產品。如您需要RGW80TK65DGVC11的datasheet數據手冊、規格參數詳情或替代型號信息，歡迎聯系我們獲取技術支持。
我們提供RGW80TK65DGVC11現貨庫存查詢與價格報價，支持批量采購與在線詢價，原裝正品保障，發貨速度快。聯系方式：0755-83216080 / SALES@LJQ.CC。
