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| Product Status | Active |
| IGBT Type | PT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 900 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 145 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 239 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 47A |
| Power - Max | 625 W |
| Switching Energy | 1.625mJ (on), 1.389mJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 200 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 18ns/149ns |
| Test Condition | 600V, 47A, 4.7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Supplier Device Package | D3PAK |
APT80GA90S 是由 微芯科技 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT PT MOS 8 SINGLE 900 V 80 A。該器件的核心參數包括:Product Status: Active、IGBT Type: PT、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V、Current - Collector (Ic) (Max): 145 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 239 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A。
APT80GA90S 共有 16 項技術參數,涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Power - Max(625 W)、Switching Energy(1.625mJ (on), 1.389mJ (off))、Input Type(Standard)、Gate Charge(200 nC)、Td (on/off) @ 25°C(18ns/149ns) 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書,獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 微芯科技:微芯科技(Microchip Technology Inc.)是一家全球領先的**電子元器件**和**IC芯片**供應商,以其創新的**微控制器**和**模擬半導體**解決方案,賦能全球數以萬計的客戶實現低風險的產品開發、降低整體系統成本并加速產品上市進程。公司總部位于美國亞利桑那州錢德勒,自成立以來,微芯科技始終致力于提供卓越的技術支持、可靠的交付和高品質的產品,贏得了業界的廣泛贊譽。
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