| Product Status | Not For New Designs |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 114 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 225 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 75A |
| Power - Max | 404 W |
| Switching Energy | 3.32mJ (on), 1.9mJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 79 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 43ns/113ns |
| Test Condition | 400V, 75A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 114 ns |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247N |
RGSX5TS65DHRC11 是由 羅姆半導體 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT TRENCH FLD 650V 114A TO247N。該器件的核心參數包括：Product Status: Not For New Designs、IGBT Type: Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 114 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A。
RGSX5TS65DHRC11 共有 17 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Power - Max（404 W）、Switching Energy（3.32mJ (on), 1.9mJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（79 nC）、Td (on/off) @ 25°C（43ns/113ns） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 羅姆半導體：羅姆公司成立于1958年，總部位于日本京都。羅姆設計和制造半導體、集成電路及其他電子元件，這些元件廣泛應用于不斷發展壯大的無線通信、計算機、汽車和消費電子市場。一些最具創新性的設備和裝置都采用了羅姆的產品。
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