| Product Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3.2 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 3.5 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 1A |
| Power - Max | 28 W |
| Switching Energy | 140μJ |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 8.6 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 13ns/370ns |
| Test Condition | 800V, 1A, 241Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
IGP01N120H2 是由 英飛凌科技 制造的 單 IGBT 類電子元器件。POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 3.2 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 3.5 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 1A、Power - Max: 28 W。
IGP01N120H2 共有 15 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Switching Energy（140μJ）、Input Type（Standard）、Gate Charge（8.6 nC）、Td (on/off) @ 25°C（13ns/370ns）、Test Condition（800V, 1A, 241Ohm, 15V） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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