| Product Status | Active |
| IGBT Type | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5.3 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 6 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 1A |
| Power - Max | 60 W |
| Switching Energy | 70μJ (on), 90μJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 14 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 15ns/67ns |
| Test Condition | 960V, 1A, 82Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
HGTD1N120BNS9A 是由 安森美 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、IGBT Type: NPT、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 6 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A。
HGTD1N120BNS9A 共有 16 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Power - Max（60 W）、Switching Energy（70μJ (on), 90μJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（14 nC）、Td (on/off) @ 25°C（15ns/67ns） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 安森美：安森美（onsemi）作為全球領先的能源高效創新驅動者，致力于賦能客戶實現全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術積淀和前瞻性的戰略布局，為全球設計工程師提供全面、領先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營產品線涵蓋了廣泛的**電子元件**類別，包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現代電子產品不可或缺的組成部分，安森美通過其豐富的產品組合，有效應對客戶在各種復雜設計挑戰中遇到的難題。
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