| Product Status | Not For New Designs |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 30A |
| Power - Max | 340 W |
| Switching Energy | 1.28mJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 67 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | -/115ns |
| Test Condition | 600V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247 |
AOK30B120D2 是由 萬國半導體 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 1200V 30A TO-247。該器件的核心參數包括：Product Status: Not For New Designs、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 60 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A、Power - Max: 340 W。
AOK30B120D2 共有 15 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Switching Energy（1.28mJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（67 nC）、Td (on/off) @ 25°C（-/115ns）、Test Condition（600V, 30A, 10Ohm, 15V） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 萬國半導體：**萬國半導體 (Alpha and Omega Semiconductor, Inc.)：賦能高效能源應用的功率半導體先驅**
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