| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 25 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 24 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 8A |
| Power - Max | 156 W |
| Switching Energy | 300μJ (on), 285μJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 65 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 7ns/100ns |
| Test Condition | 800V, 8A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247 [B] |
APT11GF120BRDQ1G 是由 美高森美 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 1200V 25A 156W TO247。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、IGBT Type: NPT、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 25 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 8A。
APT11GF120BRDQ1G 共有 16 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Power - Max（156 W）、Switching Energy（300μJ (on), 285μJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（65 nC）、Td (on/off) @ 25°C（7ns/100ns） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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