首頁 > 單 IGBT > 美高森美 > APT11GP60BDQBG

| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | PT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 41 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 45 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 11A |
| Power - Max | 187 W |
| Switching Energy | 46μJ (on), 90μJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 40 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 7ns/29ns |
| Test Condition | 400V, 11A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
APT11GP60BDQBG 是由 美高森美 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 600V 41A 187W TO247。該器件的核心參數包括:Product Status: Obsolete、IGBT Type: PT、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 41 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 11A。
APT11GP60BDQBG 共有 16 項技術參數,涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Power - Max(187 W)、Switching Energy(46μJ (on), 90μJ (off))、Input Type(Standard)、Gate Charge(40 nC)、Td (on/off) @ 25°C(7ns/29ns) 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書,獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 美高森美:**美高森美 (Microsemi):高性能半導體解決方案的行業領導者**
APT11GP60BDQBG 現貨庫存充足,可通過深圳凌創輝電子有限公司立即采購。作為 美高森美 代理商和供應商,我們保證所有元器件均為100%原裝正品,來源可靠可追溯。我們提供APT11GP60BDQBG價格報價查詢、datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦服務,支持批量采購與在線詢價。立即申請報價,獲取 APT11GP60BDQBG 的最新價格和交期信息。
深圳凌創輝電子有限公司是美高森美代理商,專業供應APT11GP60BDQBG等單 IGBT 產品。如您需要APT11GP60BDQBG的datasheet數據手冊、規格參數詳情或替代型號信息,歡迎聯系我們獲取技術支持。
我們提供APT11GP60BDQBG現貨庫存查詢與價格報價,支持批量采購與在線詢價,原裝正品保障,發貨速度快。聯系方式:0755-83216080 / SALES@LJQ.CC。