BSH111BKR是Nexperia旗下的單 FET、MOSFET 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供BSH111BKR現(xiàn)貨庫(kù)存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供BSH111BKR datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購(gòu)與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 210mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.5 nC @ 4.5 V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 30 pF @ 30 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 302mW (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
BSH111BKR 是由 Nexperia 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V。
BSH111BKR 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（4Ohm @ 200mA, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1.3V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（0.5 nC @ 4.5 V）、Vgs (Max)（±10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（30 pF @ 30 V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 Nexperia：Nexperia（中文名：Nexperia）是全球領(lǐng)先的、專注于大批量生產(chǎn)關(guān)鍵半導(dǎo)體的專家。作為電子元器件領(lǐng)域不可或缺的組成部分，Nexperia提供的各類電子元件是每一項(xiàng)電子設(shè)計(jì)得以實(shí)現(xiàn)的基礎(chǔ)。公司擁有豐富的產(chǎn)品組合，涵蓋了二極管、雙極晶體管、ESD（靜電放電）保護(hù)器件、MOSFETs、GaN（氮化鎵）FETs以及模擬與邏輯IC芯片等核心電子產(chǎn)品。
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