| Product Status | Not For New Designs |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500Ohm @ 16mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.2V @ 8μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.9 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9.5 pF @ 25 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 1.39W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SOT-23A-3 |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
AO3160E 是由 萬國半導體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET N-CH 600V 40MA SOT23A-3。該器件的核心參數包括：Product Status: Not For New Designs、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40mA (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V。
AO3160E 共有 16 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（500Ohm @ 16mA, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（3.2V @ 8μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（0.9 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（9.5 pF @ 25 V） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 萬國半導體：**萬國半導體 (Alpha and Omega Semiconductor, Inc.)：賦能高效能源應用的功率半導體先驅**
AO3160E 現貨庫存充足，可通過深圳凌創輝電子有限公司立即采購。作為 萬國半導體 代理商和供應商，我們保證所有元器件均為100%原裝正品，來源可靠可追溯。我們提供AO3160E價格報價查詢、datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦服務，支持批量采購與在線詢價。立即申請報價，獲取 AO3160E 的最新價格和交期信息。
深圳凌創輝電子有限公司是萬國半導體代理商，專業供應AO3160E等單 FET、MOSFET 產品。如您需要AO3160E的datasheet數據手冊、規格參數詳情或替代型號信息，歡迎聯系我們獲取技術支持。
我們提供AO3160E現貨庫存查詢與價格報價，支持批量采購與在線詢價，原裝正品保障，發貨速度快。聯系方式：0755-83216080 / SALES@LJQ.CC。
