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| Product Status | Active |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 111.7 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6464 pF @ 15 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 83W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | DFN5060 |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
MCAC50P03B-TP 是由 微電子元件公司 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。P-CHANNEL MOSFET, DFN5060。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V。
MCAC50P03B-TP 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(5.5mOhm @ 20A, 10V)、Vgs(th) (Max) @ Id(2.8V @ 250μA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(111.7 nC @ 10 V)、Vgs (Max)(±25V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(6464 pF @ 15 V) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
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