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TP65H070LSG-TR是Transphorm旗下的單 FET、MOSFET 產品,深圳凌創輝電子有限公司提供TP65H070LSG-TR現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供TP65H070LSG-TR datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦,原裝正品保障,支持批量采購與在線詢價,發貨速度快。
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| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 16A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.8V @ 700μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 400 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 96W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 3-PQFN (8x8) |
| Package / Case | 3-PowerDFN |
TP65H070LSG-TR 是由 Transphorm 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。GANFET N-CH 650V 25A PQFN88。該器件的核心參數包括:Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: GaNFET (Gallium Nitride)、Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
TP65H070LSG-TR 共有 16 項技術參數,涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(85mOhm @ 16A, 10V)、Vgs(th) (Max) @ Id(4.8V @ 700μA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(9.3 nC @ 10 V)、Vgs (Max)(±20V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(600 pF @ 400 V) 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書,獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 Transphorm:Transphorm (Nasdaq: TGAN) 是一家全球領先的高性能、高可靠性氮化鎵(GaN)**元器件**制造商,專注于高壓**電子元件**的功率轉換系統設計與生產。公司擁有業界規模龐大的GaN知識產權組合,超過1000項專利,這使其能夠提供行業內最全面的GaN**IC芯片**產品線,覆蓋從45瓦到10千瓦以上廣泛的功率等級,滿足多樣化的應用需求。Transphorm的SuperGaN?平臺核心技術優勢顯著,在可制造性、設計靈活性、驅動性能和可靠性方面均表現卓越。
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