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| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6Ohm @ 100mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.72 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 30 pF @ 20 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 400mW (Ta) |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
XP262N7002TR-G 是由 拓力半導(dǎo)體 制造的 單 FET、MOSFET 類(lèi)電子元器件。MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V。
XP262N7002TR-G 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(1.6Ohm @ 100mA, 10V)、Vgs(th) (Max) @ Id(2.1V @ 250μA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(0.72 nC @ 10 V)、Vgs (Max)(±20V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(30 pF @ 20 V) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書(shū),獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 拓力半導(dǎo)體:Torex Semiconductor Ltd.,中文名為拓力半導(dǎo)體,是一家在全球電子元器件市場(chǎng)享有盛譽(yù)的領(lǐng)先企業(yè),尤其專(zhuān)注于為電池供電和追求極致能效的應(yīng)用提供高性能的CMOS電源管理集成電路(IC芯片)。拓力半導(dǎo)體深耕于CMOS模擬技術(shù)領(lǐng)域,憑借其在低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)、電壓檢測(cè)器以及DC/DC轉(zhuǎn)換器等核心產(chǎn)品線上的卓越表現(xiàn),贏得了廣大工程師和制造商的信賴(lài)。其獨(dú)特之處在于,通過(guò)精密的激光修整技術(shù),拓力半導(dǎo)體能夠提供高達(dá)1%甚至2%的高精度電子元件,并且許多器件支持以0.05V的微小步進(jìn)進(jìn)行電壓調(diào)節(jié),為設(shè)計(jì)者提供了前所未有的靈活性和精確控制能力,這在任何需要精確電壓軌的精密設(shè)備中都至關(guān)重...
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