| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.2A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 11A, 5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3 nC @ 5 V |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 576 pF @ 50 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | Die |
| Package / Case | Die |
EPC2252 是由 意法半導體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。TRANSGAN 80V.011OHM AECQ101 9BGA。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: GaNFET (Gallium Nitride)、Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 11A, 5V。
EPC2252 共有 14 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（2.5V @ 2.5mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（4.3 nC @ 5 V）、Vgs (Max)（+6V, -4V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（576 pF @ 50 V）、Operating Temperature（-40°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 意法半導體：意法半導體（EPC）作為氮化鎵（GaN）功率管理器件領域的創新領導者，始終致力于推動電子元器件技術的革新。EPC率先推出了業界首款增強型氮化鎵硅基（eGaN?）場效應晶體管，成功地將GaN技術應用于高性能功率 MOSFET 的替代方案。相較于傳統的硅基功率 MOSFET，EPC 的 eGaN? 器件在性能上實現了數倍的飛躍，為眾多尖端應用領域提供了卓越的解決方案。
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