| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 157mOhm @ 6.76A, 15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.6V @ 1.86mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 15 V |
| Vgs (Max) | +19V, -8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 640 pF @ 400 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 86W (Tc) |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Package / Case | TO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
C3M0120065J 是由 Wolfspeed 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。650V 120M SIC MOSFET。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: SiCFET (Silicon Carbide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V。
C3M0120065J 共有 16 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（157mOhm @ 6.76A, 15V）、Vgs(th) (Max) @ Id（3.6V @ 1.86mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（26 nC @ 15 V）、Vgs (Max)（+19V, -8V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（640 pF @ 400 V） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 Wolfspeed：Wolfspeed（中文名：Wolfspeed）是全球領先的碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）技術領域先驅，致力于為提高能源效率和構建可持續未來提供行業領先的解決方案。作為一家在資本市場備受矚目的公司（紐約證券交易所代碼：WOLF），Wolfspeed在高性能半導體元器件領域擁有深厚的積淀和廣泛的市場認可。
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