| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 75 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 100 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 25A |
| Power - Max | 521 W |
| Switching Energy | 434μJ (on), 466μJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 203 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 16ns/122ns |
| Test Condition | 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Supplier Device Package | D3Pak |
APT25GR120SSCD10 是由 美高森美 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 1200V 75A 521W D3PAK。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、IGBT Type: NPT、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 75 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A。
APT25GR120SSCD10 共有 16 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Power - Max（521 W）、Switching Energy（434μJ (on), 466μJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（203 nC）、Td (on/off) @ 25°C（16ns/122ns） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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