| Product Status | Active |
| IGBT Type | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 93 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 195 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.15V @ 15V, 50A |
| Power - Max | 415 W |
| Switching Energy | 755μJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 235 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 16ns/225ns |
| Test Condition | 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247 |
APT50GS60BRDLG 是由 美高森美 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 600V 93A 415W TO247。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、IGBT Type: NPT、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 93 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 195 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 50A。
APT50GS60BRDLG 共有 16 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Power - Max（415 W）、Switching Energy（755μJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（235 nC）、Td (on/off) @ 25°C（16ns/225ns） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 美高森美：**美高森美 (Microsemi)：高性能半導體解決方案的行業領導者**
APT50GS60BRDLG 現貨庫存充足，可通過深圳凌創輝電子有限公司立即采購。作為 美高森美 代理商和供應商，我們保證所有元器件均為100%原裝正品，來源可靠可追溯。我們提供APT50GS60BRDLG價格報價查詢、datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦服務，支持批量采購與在線詢價。立即申請報價，獲取 APT50GS60BRDLG 的最新價格和交期信息。
深圳凌創輝電子有限公司是美高森美代理商，專業供應APT50GS60BRDLG等單 IGBT 產品。如您需要APT50GS60BRDLG的datasheet數據手冊、規格參數詳情或替代型號信息，歡迎聯系我們獲取技術支持。
我們提供APT50GS60BRDLG現貨庫存查詢與價格報價，支持批量采購與在線詢價，原裝正品保障，發貨速度快。聯系方式：0755-83216080 / SALES@LJQ.CC。
