APT70GR65B2SCD30是美高森美旗下的單 IGBT 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供APT70GR65B2SCD30現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供APT70GR65B2SCD30 datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 134 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 260 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 70A |
| Power - Max | 595 W |
| Switching Energy | - |
| Input Type | - |
| Gate Charge | 305 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 19ns/170ns |
| Test Condition | 433V, 70A, 4.3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | T-MAX? [B2] |
APT70GR65B2SCD30 是由 美高森美 制造的 單 IGBT 類電子元器件。INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、IGBT Type: NPT、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 134 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 70A。
APT70GR65B2SCD30 共有 14 項技術參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Power - Max（595 W）、Gate Charge（305 nC）、Td (on/off) @ 25°C（19ns/170ns）、Test Condition（433V, 70A, 4.3Ohm, 15V）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。
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