| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 90 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 30A |
| Power - Max | - |
| Switching Energy | - |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | - |
| Td (on/off) @ 25°C | 44ns/324ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 11Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | Die |
| Supplier Device Package | Die |
SIGC25T60SNCX1SA2 是由 英飛凌科技 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 3 CHIP 600V WAFER。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、IGBT Type: NPT、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 30 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A。
SIGC25T60SNCX1SA2 共有 13 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Input Type（Standard）、Td (on/off) @ 25°C（44ns/324ns）、Test Condition（400V, 30A, 11Ohm, 15V）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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