IXYP10N65B3D1是力特旗下的單 IGBT 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供IXYP10N65B3D1現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供IXYP10N65B3D1 datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
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| Product Status | Active |
| IGBT Type | PT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 32 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 62 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 10A |
| Power - Max | 160 W |
| Switching Energy | 300μJ (on), 200μJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 20 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 17ns/125ns |
| Test Condition | 400V, 10A, 50Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 29 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Supplier Device Package | TO-220 |
IXYP10N65B3D1 是由 力特 制造的 單 IGBT 類電子元器件。DISC IGBT XPT-GENX3 TO-220AB/FP。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、IGBT Type: PT、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 32 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 62 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 10A。
IXYP10N65B3D1 共有 17 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Power - Max（160 W）、Switching Energy（300μJ (on), 200μJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（20 nC）、Td (on/off) @ 25°C（17ns/125ns） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。
關于 力特：力特產品在利用電能的應用中是至關重要的組件，從消費電子產品到車輛和工業設施。他們提供業界最廣泛和最深入的電路保護產品組合，同時在電源控制和傳感領域不斷擴展。作為其加速有機增長和戰略收購的企業戰略的一部分，他們正在擴展到相鄰市場。這些市場包括功率半導體、重型開關、磁性、光學、機電和溫度傳感器；以及提供安全控制和分配電能的產品。
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