IXYN120N65B3D1是力特旗下的單 IGBT 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供IXYN120N65B3D1現(xiàn)貨庫存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供IXYN120N65B3D1 datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| IGBT Type | PT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 250 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 770 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 100A |
| Power - Max | 830 W |
| Switching Energy | 1.34mJ (on), 1.5mJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 250 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 30ns/168ns |
| Test Condition | 400V, 50A, 2Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 28 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
| Supplier Device Package | SOT-227B |
IXYN120N65B3D1 是由 力特 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT MODULE DISC IGBT SOT-227UI。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、IGBT Type: PT、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 250 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 770 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A。
IXYN120N65B3D1 共有 17 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Power - Max（830 W）、Switching Energy（1.34mJ (on), 1.5mJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（250 nC）、Td (on/off) @ 25°C（30ns/168ns） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。
關(guān)于 力特：力特產(chǎn)品在利用電能的應(yīng)用中是至關(guān)重要的組件，從消費(fèi)電子產(chǎn)品到車輛和工業(yè)設(shè)施。他們提供業(yè)界最廣泛和最深入的電路保護(hù)產(chǎn)品組合，同時(shí)在電源控制和傳感領(lǐng)域不斷擴(kuò)展。作為其加速有機(jī)增長和戰(zhàn)略收購的企業(yè)戰(zhàn)略的一部分，他們正在擴(kuò)展到相鄰市場。這些市場包括功率半導(dǎo)體、重型開關(guān)、磁性、光學(xué)、機(jī)電和溫度傳感器；以及提供安全控制和分配電能的產(chǎn)品。
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