APT35GP120B2D2G是微芯科技旗下的單 IGBT 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供APT35GP120B2D2G現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供APT35GP120B2D2G datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
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| Product Status | Active |
| IGBT Type | PT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 96 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 140 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 35A |
| Power - Max | 540 W |
| Switching Energy | 1mJ (on), 1.185mJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 150 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 14ns/99ns |
| Test Condition | 800V, 35A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 85 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 Variant |
| Supplier Device Package | T-MAX? [B2] |
APT35GP120B2D2G 是由 微芯科技 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT PT COMBI 1200V 35A TO-247。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、IGBT Type: PT、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 96 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A。
APT35GP120B2D2G 共有 17 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Power - Max（540 W）、Switching Energy（1mJ (on), 1.185mJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（150 nC）、Td (on/off) @ 25°C（14ns/99ns） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。
關于 微芯科技：微芯科技（Microchip Technology Inc.）是一家全球領先的**電子元器件**和**IC芯片**供應商，以其創新的**微控制器**和**模擬半導體**解決方案，賦能全球數以萬計的客戶實現低風險的產品開發、降低整體系統成本并加速產品上市進程。公司總部位于美國亞利桑那州錢德勒，自成立以來，微芯科技始終致力于提供卓越的技術支持、可靠的交付和高品質的產品，贏得了業界的廣泛贊譽。
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