| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | - |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 75 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 25A |
| Power - Max | - |
| Switching Energy | - |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | - |
| Td (on/off) @ 25°C | - |
| Test Condition | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | Die |
| Supplier Device Package | Die |
SIGC42T120CQX1SA1 是由 英飛凌科技 制造的 單 IGBT 類電子元器件。DIODE GEN PURPOSE 1.2KV。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A、Input Type: Standard、Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)。
SIGC42T120CQX1SA1 共有 9 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（Die）、Supplier Device Package（Die） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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