FGA50T65SHD-01是安森美旗下的單 IGBT 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供FGA50T65SHD-01現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供FGA50T65SHD-01 datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 150 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
| Power - Max | 319 W |
| Switching Energy | 1.28mJ (on), 384μJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 87 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 22.4ns/73.6ns |
| Test Condition | 400V, 50A, 6Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 34.6 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
FGA50T65SHD-01 是由 安森美 制造的 單 IGBT 類電子元器件。FGA50T65SHD-01。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、IGBT Type: Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 100 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A。
FGA50T65SHD-01 共有 17 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Power - Max（319 W）、Switching Energy（1.28mJ (on), 384μJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（87 nC）、Td (on/off) @ 25°C（22.4ns/73.6ns） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。
關于 安森美：安森美（onsemi）作為全球領先的能源高效創新驅動者，致力于賦能客戶實現全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術積淀和前瞻性的戰略布局，為全球設計工程師提供全面、領先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營產品線涵蓋了廣泛的**電子元件**類別，包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現代電子產品不可或缺的組成部分，安森美通過其豐富的產品組合，有效應對客戶在各種復雜設計挑戰中遇到的難題。
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深圳凌創輝電子有限公司是安森美代理商，專業供應FGA50T65SHD-01等單 IGBT 產品。如您需要FGA50T65SHD-01的datasheet數據手冊、規格參數詳情或替代型號信息，歡迎聯系我們獲取技術支持。
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