| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 500 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 18 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 50 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 4.5V, 7A |
| Power - Max | 115 W |
| Switching Energy | - |
| Input Type | Logic |
| Gate Charge | - |
| Td (on/off) @ 25°C | 420ns/2.9μs |
| Test Condition | 300V, 1kOhm, 5V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
NGD18N45CLBT4G 是由 安森美 制造的 單 IGBT 類電子元器件。INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V、Current - Collector (Ic) (Max): 18 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 4.5V, 7A、Power - Max: 115 W。
NGD18N45CLBT4G 共有 13 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Input Type（Logic）、Td (on/off) @ 25°C（420ns/2.9μs）、Test Condition（300V, 1kOhm, 5V）、Operating Temperature（-55°C ~ 175°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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