DF80R12W2H3B11BOMA1是英飛凌科技旗下的IGBT模塊 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供DF80R12W2H3B11BOMA1現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供DF80R12W2H3B11BOMA1 datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
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| Product Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Configuration | Dual Boost Chopper |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Power - Max | 190 W |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 20A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1 mA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 2.35 nF @ 25 V |
| Input | Standard |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | - |
DF80R12W2H3B11BOMA1 是由 英飛凌科技 制造的 IGBT模塊 類電子元器件。IGBT MODULE。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Configuration: Dual Boost Chopper、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 50 A、Power - Max: 190 W、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A。
DF80R12W2H3B11BOMA1 共有 13 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Current - Collector Cutoff (Max)（1 mA）、Input Capacitance (Cies) @ Vce（2.35 nF @ 25 V）、Input（Standard）、NTC Thermistor（Yes）、Operating Temperature（-40°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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